DMT67M8LK3-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMT67M8LK3-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.3587 |
5000+ | $0.334 |
12500+ | $0.3216 |
25000+ | $0.3093 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 89.3W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2130 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 87A (Tc) |
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
DIODES SOP-8
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMT67M8LK3-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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